参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPB042N10N3 G
说明	功率MOSFET   PG-TO263-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2241 [库存更新时间：2024-05-02]
系列	OptiMOS™
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	100A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	117nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8410pF @ 50V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	214W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.2mΩ@50A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3